三星电子1日表示，公司在业内率先研制出12纳米级32千兆比特（gb）第五代双倍数据速率同步动态随机存取存储器（ddr5 dram），计划年内投入量产。

三星电子1983年首次研制出dram，容量为64千比特（kb），而此次时隔40年成功研制容量增至50万倍的dram。

三星于今年5月起量产12纳米级16gb dram，同样是128吉字节（gb）模块，采用新研制的32gb dram的模块比搭载16gb dram的模块节电约10%。三星方面自评，此次新品的成功研制意味着为开启1太字节（tb）dram模块时代成功创造出关键技术。（完）

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