SK海力士成功研发全球首款238层闪存芯片
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作者 作者 : KOTRA 작성일 日期 : 2022-08-03본문
韩国半导体制造商sk海力士3日表示，公司成功研发出全球首款业界最高层数的238层512gb tlc（triple level cell）4d闪存芯片（nand）样品，该芯片将于明年上半年实现量产。
sk海力士当天在美国加州举行的2022全球闪存峰会上公开该产品。公司表示，这是公司自2020年12月研发出176层nand后时隔1年零7个月成功研发下一代新技术。尤其是新产品既拥有业界最高层数，也是目前最小的nand产品，其意义重大。
与176层nand相比，新产品的生产效率提升34%，数据传输速度（每秒2.4gb）提升50%，功耗减少21%。
sk海力士计划先为客户端固态硬盘（ssd）供应238层nand，之后逐步将产品使用范围扩大至智能手机和大容量服务器固态硬盘，并于明年推出该产品的1tb扩容版
